X
יומן ראשי
חדשות תחקירים
כתבות דעות
סיפורים חמים סקופים
מושגים ספרים
ערוצים
אקטואליה כלכלה ועסקים
משפט סדום ועמורה
משמר המשפט תיירות
בריאות פנאי
תקשורת עיתונות וברנז'ה
רכב / תחבורה לכל הערוצים
כללי
ספריה מקוונת מיוחדים ברשת
מגזינים וכתבי עת וידאו News1
פורמים משובים
שערים יציגים לוח אירועים
מינויים חדשים מוצרים חדשים
פנדורה / אנשים ואירועים
אתרים ברשת (עדכונים)
בלוגרים
בעלי טורים בלוגרים נוספים
רשימת כותבים הנקראים ביותר
מועדון + / תגיות
אישים פירמות
מוסדות מפלגות
מיוחדים
אירועי תקשורת אירועים ביטוחניים
אירועים בינלאומיים אירועים כלכליים
אירועים מדיניים אירועים משפטיים
אירועים פוליטיים אירועים פליליים
אסונות / פגעי טבע בחירות / מפלגות
יומנים אישיים כינוסים / ועדות
מבקר המדינה כל הפרשות
הרשמה למועדון VIP מנויים
הרשמה לניוזליטר
יצירת קשר עם News1
מערכת - New@News1.co.il
מנויים - Vip@News1.co.il
הנהלה - Yoav@News1.co.il
פרסום - Vip@News1.co.il
כל הזכויות שמורות
מו"ל ועורך ראשי: יואב יצחק
עיתונות זהב בע"מ
X
יומן ראשי   /   הודעות כלליות
- הודעה מטעם סמסונג
▪  ▪  ▪
שלוש פריצות דרך טכנולוגיות של סמסונג יגדילו נפח הזיכרון בטלפונים סלולריים
סמסונג הודיעה על שורה של פריצות דרך טכנולוגיות שיגדילו את נפח הזיכרון ואת מהירות העיבוד של מכשירים ניידים כמו מכשיר טלפון סלולרי מתוחכמים.
יצרנית המוליכים-למחצה המובילה בעולם הודיעה, כי פיתחה שבב זיכרון-הבזק NAND בנפח של 8 גיגהבייט, שישמש לאיחסון מידע דיגיטלי. זהו פיתוח ראשון בטכנולוגיה של 60 ננומטר (מיליונית המילימטר). שבב הזיכרון החדש יאפשר לאחסן עד 16 שעות של וידאו באיכות DVD או 4,000 קבצי אודיו 3MP על שבב אחד. בהודעה לעיתונות מסרה חברת סמסונג, כי "זו הצלחה ראשונה בתעשייה של פיתוח מוצר מסחרי מן הדור הבא של טכנולוגיית 60 ננומטר. הפיתוח החדש יאפשר להוסיף שורה ארוכה של יישומים למכשירים ניידים".
מכירות רכיבי זיכרון הבזק NAND של סמסונג היו השנה חזקות מאוד, ועלו מ-400 מיליון דולר בשנת 2001 ל-2.1 מיליארד דולר בשנת 2003. השנה צופה סמסונג הכפלה של המכירות והיא מחזיקה היום בכ-65% מנפח השוק העולמי. החברה אמרה כי ייצור המוני של השבב החדש יתחיל במהלך 2005, לאחר הרבעון הראשון, שבו ייוצר שבב בנפח של 4 גיגהבייט.
פריצת דרך נוספת, שעליה הודיעה חברת סמסונג, היא פיתוח של רכיב זיכרון SDRAM בנפח של 2 גיגהבייט במהירות כפולה 2DDR, שנוצר בטכנולוגיה של 80 ננומטר. שבב זיכרון זה ישפר ביצועים של שרתים ושל תחנות עבודה חזקות ויאפשר ביצוע מהיר יותר של יישומים הדורשים זיכרון גדול כמו ועידות וידאו בזמן אמת, שירותי רפואה מרחוק, תקשורת דו כיוונית וגרפיקה תלת-מימדית. עד לאחרונה הדעה הרווחת הייתה, שנפח של 8 גיגהבייט על שבב זיכרון אחד ניתן יהיה להשגה רק עם המעבר לטכנולוגיה של 65 ננומטר או פחות מזה. "הפיתוח מראה שהרחבת הקיבולת של המוליך-למחצה אפשרית גם על ידי שיפור העיצוב וטכנולוגיית העיבוד, ולא רק במיזעור המעגלים האלקטרוניים", אמר הואנג צ'אנג-גיו, נשיא חטיבת המוליכים למחצה בסמסונג.
חברת מחקרי השוק גרטנר-דאטהקווסט מעריכה כי פלח השוק של טכנולוגיית 2DDR (במהירות כפולה) יגדל מ-11% השנה ל-50% עד סוף 2005, ובכך יהפוך רכיב הזיכרון המרכזי בתעשיית האלקטרוניקה. סמסונג מתכוונת להתחיל בייצור המוני של השבב במחצית השנייה של 2005.
פריצת דרך שלישית, שעליה הוכרז במקביל, היא השלמת פיתוחו של מעבד מרכזי CPU למיכשור נייד במהירות שעון של 667 מגהרץ, המחזיק עתה בשיא המהירות העולמי. המעבד מבוסס על ליבת ARM1020E של חברת ARM. לדברי סמסונג, מהירות העיבוד הגבוהה הושגה תוך שימוש בשיטות עיצוב ייחודיות ושילוב מספר מעגלים אלקטרוניים. לשבב החדש זיכרון-מטמון בנפח של KB64, המספיק לתמוך בהצגת וידאו באיכות גבוהה במהירות-אמת ללא קפיצות או הפרעות.
תאריך:  22/09/2004   |   עודכן:  22/09/2004
מועדון VIP להצטרפות הקלק כאן
ברחבי הרשת / פרסומת
כל הזכויות שמורות
מו"ל ועורך ראשי: יואב יצחק
עיתונות זהב בע"מ New@News1.co.il