אינטל וחברת מיקרון, המתמחה בייצור ושיווק של מחשבים וציוד נלווה, הודיעו כי הצליחו לפתח יחד לראשונה זיכרון פלאש SSD בטכנולוגיית 25 ננו מטר. מדובר בהתקדמות טכנולוגית משמעותית למדי, לעומת הדור הנוכחי של זיכרונות הפלאש, אשר מיוצרים כיום ברובם, בטכנולוגיית 34 ננו מטר. לטענת אינטל, ייצור מסחרי של זיכרונות פלאש בטכנולוגיית 25 ננו מטר יעשה החל מהמחצית השנייה של 2010.
לייצור של זיכרונות פלאש בטכנולוגיית 25 ננו מטר יש כמה השלכות מעשיות, כאשר הבולטת שבהן היא מזעור הרכיבים האלו לממדים קטנים יותר. כך למשל, ניתן לאחסן באמצעות הטכנולוגיה הזו מידע בנפח של 8GB על פיסת סיליקון בגודל של פחות ממטבע. הקטנת הגודל של הרכיב תאפשר גם להקטין את כמות האנרגיה שהוא צורך ואף להפחית את מחירו.
חברת המחקר Objective Analysis מעריכה שייצור בטכנולוגיית 25 ננו מטר יאפשר לאינטל להוזיל את מחירי הזיכרונות בצורה משמעותית, עד ל-0.5 דולר לג'יגה בייט אחד. זאת, לעומת המחיר הממוצע כיום, אשר עומד על 2 דולר לג'יגה בייט של מידע. דבר זה, לטענת Objective Analysis, עשוי לספק לאינטל בעתיד הקרוב יתרון תחרותי משמעותי.
משמעות נוספת של ייצור זיכרונות כאלו היא קידום של התקני מחשוב רבים, כמו טלפונים ניידים חכמים, מחשבי כף יד ומחשבי נטבוק, אשר דורשים כיום אחסון בנפח גבוה יותר אך בממדים פיזיים קטנים ככל שניתן. הזיכרון של אינטל ומיקרון יוכל להציע מענה טוב יותר לצרכים אלו.
