התקני הזיכרון מסוג DDR3 נכנסים אומנם רק כעת למיינסטרים, אך יש מי שכבר עובד ועומל על פיתוח הדור הבא שלהם - התקני ה-DDR4.
סמסונג הודיעה בסוף השבוע האחרון כי הצליחה לפתח את זיכרון ה-DDR4 הראשון בתעשיה. הזיכרון, אשר מיוצר בטכנולוגיית 30 ננו מטר, יציע מגוון יתרונות על פני הדור הקודם של הזיכרונות. ביניהם ניתן לראות את הבאים:
DDR4 מתבסס על טכנולוגיה בשם Pseudo Open Drain (בר"ת POD) המאפשרת לו לצרוך כחצי מעוצמת הזרם הנצרכת כיום בזיכרונות מסוג DDR3. הזיכרונות יעבדו בקצב שעון של 1.6Gbps עד 3Gbps וברמת מתח של 1.2V. לשם השוואה, שיא המהירות שאליה יכול להגיע התקן מסוג DDR3 היא 1.6Gbps.
ההתקן החדש הספציפי של סמסונג צפוי לצרוך הספק אנרגיה הנמוך ב-40% לעומת זיכרונות DDR3 סטנדרטיים. קצב השעון שבו הוא יפעל צפוי לעמוד על 2.133Gbps. הדגם הראשון שלו צפוי להגיע בנפח של 2GB.
עבור מי שמעוניין לרכוש זיכרונות מסוג זה נציין כי סמסונג מתכננת לייצר אותם לשיווק מסחרי רק ב-2012.
