חוקרים ממעבדות HP מתכננים לפרסם החודש תגלית חדשה שלהם להגדלת יכולת הביצועים של שבבים מסוימים, תוך הורדת צריכת החשמל. החוקרים מצאו דרך לשים פי 8 יותר טרנזיסטורים מהכמות האפשרית היום, על גבי שבב 45 ננומטר בודד. זאת בניגוד לחוק מור, לפיו מספר הטרנזיסטורים על גבי שבב מכפיל עצמו כל 24 חודשים.
עד היום, הדרך העיקרית להגדלת הביצועים בשבבים הייתה הקטנת הטרנזיסטורים. שיטה זו אומנם הובילה להגדלה במספר הטרנזיסטורים האפשריים על גבי שבב ולעלייה בביצועים, אך הצפיפות של הטרנזיסטורים הובילה גם לחום המפריע לביצועים.
יצרניות שבבים גדולות, כמו אינטל, ממשיכות להקטין את הטרנזיסטורים, אך גם מנסות במקביל לפתח שבבים מרובי-ליבות, על-מנת לספק ביצועים משופרים. ב-HP טוענים כי שיטה זו היא הודאה בכישלון, ומאמינים כי התגלית החדשה שלהם היא העתיד.
התגלית החדשה של HP עושה שימוש בארכיטקטורה הנקראת Field Programmable Nanowire Interconnect (או FPNI), המאפשרת לרוב הסיליקון להכיל טרנזיסטורים, על-ידי הסרת חוטי ניתוב סיגנלים מהסיליקון ושימוש בקו-רוחב המורכב מחוטי 15 ננומטר היושבים מעל לטרנזיסטורים המנתבים את הסיגנל.
בשיטה זו, טוענים ב-HP, ניתן להוסיף כמות גדולה פי 8 של טרנזיסטורים על גבי השבב, מהכמות הקיימת היום. חוק מור, לפיו כמות הטרנזיסטורים על גבי שבב מכפילה עצמה כל שנתיים, כנראה לא עובד ב-HP.
ב-HP מאמינים כי עד 2020 יהיה ניתן לשים אותה כמות של טרנזיסטורים בשטח המהווה רק 4% מהשטח האפשרי היום, וזאת בעזרת חוטי 4.5 ננומטר.